场效应晶体管(field effect traistor缩写(fet))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 工作原理:场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加vds的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 本产品的品牌是博明,型号是ao3401,种类是绝缘栅(mosfet),沟道类型是n沟道,导电方式是耗尽型,用途是mos-hbm/半桥组件,封装外形是p-dit/塑料双列直插,材料是n-fet硅n沟道
企业集采生产供应 mos管场效应管 广东ao3401场效应管
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